|
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
|
Скачать 34.53 Kb.
Дата |
15.09.2016 |
Размер |
34.53 Kb. |
|
Направленность - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Вопросы
Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
1. Уравнение для плотности электрического тока в полупроводниках.
Уравнение непрерывности.
-
Электронно-дырочный (р-п) переход. Инжекция и экстракция неосновных носителей заряда. Вольт-амперная характеристика р-п перехода
-
Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Поглощение излучения: собственное и примесное, экситонное и на свободных носителях.
-
Лазерный эффект в полупроводниках. Индуцированное (стимулированное) излучение
-
Термоэлектрические явления. Эффект Холла.
Приборы твердотельной электроники и микроэлектроники
-
Лавинно-пролетные диоды, pin -диоды.
-
Диод Ганна.
-
Полевые транзисторы, принцип действия, основные параметры.
-
Светодиоды, параметры и характеристики. Суперяркие светодиоды.
10. Магнитоэлектроника, криоэлектроника, твердотельные датчики (общее
представление).
Технология микроэлектроники и твердотельных приборов
-
Планарная технология - общая схема техпроцесса. Групповая обработка.
-
Эпитаксия. Методы эпитаксиального выращивания кремния.
-
Электронно-ионная технология. Ионное легирование.
-
Металлизация. Ионно-плазменное распыление.
15. Фотолитография. Проекционная фотолитография, электроннолучевая
литография и рентгенолитография.
Моделирование, испытания, надежность приборов твердотельной электроники, радиоэлектроники и изделий микро- и наноэлектроники
-
Моделирование как основа проектирования приборов твердотельной, микро- и наноэлектроники.
-
Системы моделирования и автоматизированного проектирования (общее представление).
-
Испытание изделий на устойчивость к воздействию внешних факторов: механических, климатических, радиационных.
19. Основные положения, понятия и определения современной теории
надежности.
20. Методы выявления потенциально ненадежных приборов и микросхем.
Радиоэлектронные компоненты
-
Толстопленочные резисторы.
-
Основные типы постоянных и переменных резисторов.
-
Физические явления, определяющие емкостные свойства конденсаторов.
-
Типы, параметры и конструкции конденсаторов постоянной емкости.
25. Типы, параметры и конструкции конденсаторов переменной емкости.
Физические эффекты в малоразмерных твердотельных структурах, специфические приборы наноэлектроники и методы их изготовления, основные принципы создания приборов на квантовых эффектах
-
Эффект Джозефсона.
-
Квантовый эффект Холла.
-
Явление кулоновской блокады при туннелировании через переходы с малой емкостью.
29. Технологические методы формирования наноразмерных структур.
Молекулярно-лучевая эпитаксия, электронно-лучевая литография, методы
зондовой нанолитографии.
30. Представления об элементной базе квантовых компьютерах - кубитах.
Свойства кубита.
Литература
-
Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976.
-
Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Радио и связь, 1990.
-
Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника / Под ред. Н.Д. Федорова. М.: Радио и связь, 1998.
-
Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М.: Радио и связь, 1998.
-
Березин А.С, Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1983.
-
Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. М.: Радио и связь, 1987.
7. Козырь И.Я. Качество и надежность интегральных микросхем. М.: Высш.
шк., 1987.
-
Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов / Под ред. Д. Миллера. М.: Радио и связь, 1989.
-
Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. М.: Высшая школа, 1989.
-
Алексенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника. М.: Радио и связь, 1987.
-
Валиев К.А., Кокин А.А. Квантовые компьютеры: надежды и реальность. М.:РХД, 2001.
|
|
|