Содержание выпусков
журнала
«Известия СПбГЭТУ "ЛЭТИ"»
2015 Вып. 5
Физические явления в твердых телах,
жидкостях и газах
В. Д. Гончаров, C. А. Калинин, Р. В. Яшкардин
Санкт-Петербургский государственный электротехнический
университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Определение параметров плазмы с использованием
схемы замещения импульсного разряда
Приведены результаты экспериментальных и теоретических исследований параметров импульсного дугового разряда, движущегося вдоль поверхности протяженных электродов. Показано, что полученные экспериментальные данные можно адекватно описать с помощью математической модели только в случае, если задать изменение резистивного сопротивления плазмы более чем на порядок в определенный момент времени.
Ультрадисперсные частицы, диспергирование, плазма, дуговой разряд
V. D. Goncharov, C. A. Kalinin, R. V. Yashkardin
Saint-Petersburg state electrotechnical university «LETI»
DETERMINATION OF PLASMA PARAMETERS USING THE EQUIVALENT CIRCUIT
OF A PULSED DISCHARGE
The results of experimental and theoretical studies of parameters of pulsed arc moving along the surface of extended electrodes are presented. It is shown that the experimental data can be adequately described by a mathematical model, only if set to change the resistive impedance of the plasma by more than an order of magnitude given time.
Ultrafine particles, dispersing, plasma, arc discharge
В. И. Зубков, О. В. Кучерова, И. Н. Яковлев, В. Н. Черкасова, В. А. Ильин, А. В. Соломонов
Санкт-Петербургский государственный электротехнический
университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Электрофизические и оптические исследования
полупроводниковых гетероструктур и пластин
на базе криогенной зондовой станции
в диапазоне температур от 15 до 475 K
Разработана автоматизированная система для комплексных электрофизических и оптических исследований полупроводниковых наногетероструктур, работающая в широком температурном интервале от 15 до 475 К. Установка позволяет измерять температурные и частотные спектры адмиттанса и спектры люминесценции гетероструктур, в том числе на основе широкозонных полупроводников, сформированных на подложках диаметром до 50.2 мм, а также распределение параметров по пластине. В состав установки входит гелиевая криогенная зондовая станция замкнутого цикла, LCR-метр и контроллер температуры. Представлены результаты характеризации структур на основе 4Н–SiC и множественных квантовых ям InGaN/GaN.
Спектроскопия адмиттанса, вольт-фарадные измерения, InGaN/GaN, SiС
V. I. Zubkov, O. V. Kucherova, I. N. Yakovlev, V. N. Cherkasova, V. A. Ilyin, A. V. Solomonov
Saint-Petersburg state electrotechnical university «LETI»
АDMITTANCE AND OPTICAL STUDY OF SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
AND WAFERS IN CRYOGENIC PROBE STATION IN THE TEMPERATURE RANGE 15 TO 475 K
A computer-controlled setup for complex electrical and optical study of semiconductor nanoheterostructures, operated in the temperature range 15 to 475 К is developed. The system allows measuring the temperature and frequency admittance spectra and luminescence spectra of heterostructures, including on the basis of wide bandgap semiconductors, as well as the distribution of parameters along a wafer up to 50.2 mm in diameter. The setup consists of a closed-cycle helium probe station Janis, LCR-meter Agilent E4980A and a temperature controller LakeShore 336. The characterization of bulk 4Н-SiC structures and multiple quantum well InGaN/GaN is presented.
Admittance spectroscopy, capacitance-voltage characteristics, InGaN/GaN, SiC
Физическая электроника и технологии
микро- и наноструктур
Д. Л. Орехов
ООО «НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А. Ф. Иоффе»
Оптимизация процесса пассивации дефектов
на поверхности кремниевых пластин при формировании гетероструктурного фотоэлектрического преобразователя
Представлены результаты получения гетероструктурных солнечных элементов на кристаллическом кремнии путем напыления на его поверхность тонкого слоя из аморфного гидрогенизированного кремния. Описана процедура формирования гетероперехода и пассивации дефектов на поверхности кристаллического кремния. Показана возможность получения времени жизни неосновных носителей заряда более 1 мкс в пластине кристаллического кремния после пассивации ее поверхности, что является достаточным условием для создания гетероструктурного солнечного элемента на кремнии с эффективностью более 20 %.
Солнечные элементы, аморфный гидрогенизированный кремний, гетеропереход,
эффективность солнечного элемента
D. l. Orekhov
R&D center of thin film technologies in energetics under Ioffe institute
OPTIMIZATION OF PASSIVATION PROCESS ON THE SILICON WAFER SURFACE DURING
FORMATION HETEROSTRUCTURE SILICON SOLAR CELL
Results of formation of heterostructure solar cells on crystalline silicon by deposition on the wafer surface of amorphous hydrogenated silicon are presented in the paper. The procedure of heterostructure formation and crystalline silicon surface defect passivation is described. It is shown that it is possible to achieve minority carrier lifetime over 1 msec after surface passivation, which is sufficient to form heterostructure silicon solar cell with efficiency over 20 %.
Solar cells, amorphous hydrogenated silicon, heterojunction, solar cell efficiency
А. В. Семенов, В. П. Афанасьев
Санкт-Петербургский государственный электротехнический
университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
|