Учебная программа для высших учебных заведений по специальности i-40 02 02 Электронные вычислительные средства

Тема 1.6. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

Тиристоры и транзисторы.

Система обозначений. Выбор безопасных электрических и тепловых ре­жимов работы. Правильное использование радиатора. Особенности включения в электрическую сеть.

Тема 1.7. ЭЛЕМЕНТЫ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Оптроны. Типы и параметры оптронов. Оптоэлектронные микросхемы. Применение оптронов в цифровых и линейных схемах, высоковольтных цепях и др.

Оптическая обработка информации. Интегральная и волоконная оптика. Модуляторы оптического излучения. Электрооптические рефлекторы. Оптиче­ские транспаранты. Оптические запоминающие среды. Волоконно-оптические волноводы.
Тема 1.8. ЭЛЕМЕНТЫ ИНДИКАЦИИ И ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ

Классификация элементов индикации технических средств ЭВС. Сравни­тельные параметры индикаторов различных типов.

Примеры индикаторов ламповых, светодиодных, жидкокристаллических, электролюминесцентных, вакуумных электролюминесцентных, газоразрядных.

Газоразрядные индикаторные панели. Электронно-лучевые индикаторы (трубки).

Тема 1.9. ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ

Элементы памяти на тонких магнитных пленках. Элементы памяти на цилиндрических магнитных доменах.

Физические основы записи и воспроизведения информации на подвиж­ном носителе.

Способы записи аналоговой и цифровой информации. Магнитные ленты, диски.

Оптические запоминающие устройства. Голографические, символьные, побитные ЗУ.

Тема 1.10. ЛИНИИ ЗАДЕРЖКИ

Тема 2.1. ВВЕДЕНИЕ

Тема 2.2. ГИБРИДНЫЕ И ПЛЕНОЧНЫЕ ИМС. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА

Пленочные RC-структуры. Конструктивные разновидности. Области при­менения. Пленочные индуктивности. Конструкции. Свойства. Пленочные кон­такты и межсоединения.

Тема 2.3. КОНСТРУКЦИИ И РАСЧЕТ ЭЛЕМЕНТОВ

Классификация элементной базы полупроводниковых микросхем. Конст­руктивные варианты реализации элементов и их электрофизические параметры. Пластины, их типоразмеры и условные обозначения.

Полупроводниковые ИМС на биполярных структурах. Биполярные инте­гральные транзисторы. Конструкции, принципы функционирования, конструк­тивно-технологические особенности и варианты исполнения. Паразитные па­раметры транзистора. Биполярный транзистор как базовая структура для созда­ния других элементов полупроводниковых ИМС и МП.

Распределение примесей в областях интегрального биполярного транзи­стора. Конструктивно-технологические методы улучшения параметров инте­гральных биполярных транзисторов.

Конструктивный расчет планарных биполярных интегральных транзи­сторов. Исходные данные и допущения. Определение ширины рабочей базы биполярного транзистора.

Расчет геометрических размеров транзистора в плане. Проверка электри­ческих параметров транзистора. Диоды в полупроводниковых микросхемах. Конструкции, параметры, особенности проектирования.

Резисторы в полупроводниковых ИМС. Конструктивно-технологические особенности. Конструктивные разновидности и области применения. Рекомен­дации по конструированию диффузионных резисторов.

Конструирование и расчет диффузионных резисторов. Определение кон­структивных размеров контактных областей. Особенности расчета пинч-резисторов.

Конденсаторы в полупроводниковых микросхемах. Конструктивно-технологические параметры и свойства. Конструирование и расчет конденсато­ров, создаваемых на основе МДП-структур.

Конструирование межэлементных соединений и контактных площадок в полупроводниковых микросхемах. Особенности конструкций многослойных и многоуровневых соединений. Диффузионные перемычки.

Полупроводниковые ИМС на униполярных структурах. Униполярные транзисторы. Конструкции, принципы функционирования. Конструктивно-технологические особенности и варианты построения. Полевые. МОП-, МДП- и КМОП-транзисторы. МДП-транзисторы как единый типовой схемный элемент.

Взаимосвязь между электрическими и конструктивными параметрами МДП-транзистора. Эквивалентная схема и частотные свойства МДП-транзистора. Биполярно-полевые структуры. МНОП-транзистор. Направление совершенствования элементной базы полупроводниковых ИМС на МДП-структурах.

Тема 2.4. ОБЩИЕ ВОПРОСЫ КОНСТРУИРОВАНИЯ

Методы изоляции элементов в полупроводниковых микросхемах: изоляция р-п-переходом, диэлектриком и комбинированным способом. Требования к методам изоляции элементов. Конструкции фрагментов ИМС с различными ва­риантами изоляции элементов.

Разработка топологии полупроводниковой ИМС. Определение количества изолирующих областей. Топологический чертеж. Оценка качества разработанной конструкции.

Особенности разработки топологии полупроводниковых ИМС на МДП-структурах. Защита ИМС. Перспективы развития конструкций и методов кон­струирования ИМС.

1. 
   Проектирование интегрального биполярного транзистора.
   
2. 
   Расчет элементов полупроводниковых микросхем на МДП-структурах.
   
3. 
   Проектирование пассивных элементов полупроводниковых интегральных
   микросхем.
   
4. 
   Проектирование пленочных резисторов.
   

1. 
   Изучение и анализ конструктивно-технологических особенностей гибрид­
   ных интегральных микросхем.
   
2. 
   Исследование и оценка параметров пленочных элементов гибридных инте­
   гральных микросхем.
   
3. 
   Изучение и анализ конструктивно-технологических особенностей полупро­
   водниковых интегральных микросхем.
   
4. 
   Исследование конструкций и характеристик интегральных RC-структур.
   
5. 
   Изучение резисторов постоянного и переменного сопротивлений.
   

7. 
   Исследование влияния конструкции и режимов работы импульсных транс­
   форматоров на их основные параметры.
   
8. 
   Исследование конструкций и характеристик линий задержки.
   
9. 
   Изучение конструкций контактных устройств.
   

1. 
   Опадчий Ю.Ф. и др. Аналоговая и цифровая электроника: Учебник для вузов. / Ю.Ф.Опадчий, О.П.Глудкин, А.И.Гуров; Под ред. О.П.Глудкина. - М.: Горячая Линия - Телеком, 1999.
   
2. 
   Акимов Н.Н. и др. Резисторы, конденсаторы, трансформаторы, дроссели, коммутационные устройства РЭА: Справочник. / Н.Н.Акимов, Е.П.Ващуков, В.А.Прохоренко, Ю.П.Ходоренок. - Мн.: Беларусь, 1994.
   
3. 
   Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: Учебник для вузов. - М.: Радио и связь, 1989.
   
4. 
   Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем: Учебное пособие для вузов. / Под ред. И.П.Степаненко. -- М.: Радио и связь, 1992.